
测试内容:全谱定性(0-1100 eV)与 C 1s、O 1s、目标元素高分辨窄谱;荷电校正以 C 1s 284.8 eV 为基准,拟合附原始参数。 适用对象:催化剂表面、镀层、纳米材料表面改性、腐蚀与钝化膜研究。 交付内容:CMA/CNAS 报告 + VMS 原始文件 + 全谱/窄谱数据表与拟合谱图。
样品需兼容真空环境,尺寸 ≤10×10 mm、厚度 ≤5 mm;粉体建议压片或均匀撒布于导电胶,避免挥发性组分。
某催化课题组表面改性验证:改性前后 C 1s/N 1s 窄谱对比 + 原子浓度表,支撑改性层接枝率结论。
分峰拟合结果可以直接写进论文吗?
可以。拟合参数(峰位、半峰宽、峰型函数)随原始数据交付,审稿要求补充时可直接引用;建议正文引用结合能时注明荷电校准基准。
深度剖析怎么做?
支持 Ar 离子溅射深度剖析,需提前确认溅射速率与总深度;多层膜样品建议提供预期层厚以便设置采样点。
